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中关村在线消息,美光宣布其HBM3 Gen2内存已经处于生产阶段,具体来说,美光HBM3 Gen2内存具有 1.2 TB/s 的聚合带宽和最高容量的 8 高堆栈 24GB的容量(为业界首款),与其他8高HBM3内存相比,容量增加了50%,工艺方面采用了1β (1-beta) 制造工艺制造,每瓦性能提高了2.5倍。

据相关人士透露,美光的HBM3 Gen2内存目前受到了谷歌、微软、AWS等云服务厂商的密切关注,以用来加速上述厂商的AI创新,并应用于类似chatGPT等应用上HBM(高带宽内存)是一款新型的CPU/GPU 内存芯片,其实就是将很多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起,实现大容量,高位宽的DDR组合阵列。HBM3是去年推出的最新标准,其单芯片接口宽度可达1024bit,有望广泛应用于AI、图形、网络等HPC应用之中。目前,包括SK海力士、三星和美光在内的存储巨头正在纷纷加码HBM。

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